Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET SiC Tranzistor 1kV 35A TO247-4

C3M0065100K
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1kV; 35A; 113,5W; TO247-4; 14ns
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1kV 35A 113,5W TO247-4 14ns, C3M0065100K de la Wolfspeed (CREE) este un produs de înaltă performanță, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa avansată SiC, care îi conferă o rezistență în timpul funcționării de 65mΩ, asigurând o funcționare eficientă și fiabilă. Cu o putere disipată de 113.5W, acesta poate gestiona sarcini de până la 35A, oferind o performanță excelentă în diverse condiții de lucru.

Tranzistorul are o polarizare unipolară și un subtip de canal îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă cuprinsă între -8 și 19V, acest tranzistor oferă flexibilitate în proiectarea circuitelor electronice. De asemenea, timpul său de restabilire de 14ns îl face ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de viteză și performanță.

Cu o montare pe suprafață (THT) și o carcasă TO247-4, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse dispozitive electronice. Terminalul Kelvin și încărcătura de poartă de 35nC sunt detalii care completează profilul acestui tranzistor de înaltă calitate. În concluzie, tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar de la Wolfspeed (CREE) reprezintă o alegere excelentă pentru proiectele electronice care necesită performanță, fiabilitate și eficiență.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință C3M0065100K
Producător Wolfspeed(CREE)
Putere disipată 113.5W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Polarizare unipolar
Curent drenă 35A
Tensiune drenă-sursă 1kV
Tensiune poartă-sursă -8...19V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 35nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 14ns
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: