Categorii
N-MOSFET Polar 1,2kV 2,4A 125W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Polar 1,2kV 2,4A 125W Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Polar 1,2kV 2,4A 125W Tranzistor

IXTP2R4N120P
Tranzistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1,2kV; 2,4A; Idm: 6A; 125W
56,75 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar este un dispozitiv semiconductoare puternic, proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile tale electronice. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent drenă de 2,4A, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații de putere medie. Cu o putere disipată de 125W, acest tranzistor poate gestiona sarcini de lucru intensive și poate funcționa în condiții de temperatură ridicate.

Caracteristicile sale unice, precum rezistența în timpul funcționării de 7,5Ω și încărcătura poartă de 37nC, asigură o funcționare eficientă și stabilitate în diverse aplicații. Tehnologia Polar™ oferă o performanță superioară și o durată de viață mai lungă a dispozitivului.

Tranzistorul N-MOSFET Polar™ unipolar de la IXYS vine într-un ambalaj tubular TO220AB și poate fi montat pe placa de circuit prin tehnologia THT. Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită un control precis al curentului. Timpul de restabilire rapid de 920ns îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe stricte de schimbare rapidă a semnalului.

Indiferent dacă lucrezi la proiecte electronice de putere medie sau la aplicații industriale, tranzistorul IXYS N-MOSFET Polar™ unipolar este alegerea perfectă pentru a asigura performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alege calitatea și inovația cu acest tranzistor de înaltă performanță de la IXYS.
Detalii ale produsului
307 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTP2R4N120P
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 125W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Caracteristici elemente semiconductoare standard power mosfet
Curent de drenă în impuls 6A
Polarizare unipolar
Curent drenă 2,4A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 7,5Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 37nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 920ns
Tehnologie Polar™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: