Categorii
Tranzistor N-MOSFET 80V 150A 300W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 80V 150A 300W TO220-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 80V 150A 300W TO220-3

CSD19505KCS
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 150A; 300W; TO220-3
33,23 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la TEXAS INSTRUMENTS este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o putere disipată impresionantă de 300W și poate suporta o tensiune drenă-sursă de până la 80V. Cu o curent drenă de 150A și o rezistență în timpul funcționării de doar 2,6mΩ, acest tranzistor se remarcă prin eficiența și fiabilitatea sa.

Subtipul ambalajului tub și montarea THT fac ca acest tranzistor să fie ușor de integrat în diferite tipuri de circuite. Carcasa TO220-3 oferă o protecție adecvată împotriva factorilor externi și asigură o disipare eficientă a căldurii. Polarizarea unipolară și tensiunea poartă-sursă de ±20V fac ca acest tranzistor să fie ideal pentru aplicații de comutare și control.

Cu un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 76nC, acest tranzistor oferă performanțe superioare în condiții de funcționare variate. Tehnologia NexFET™ și grosimea radiatorului de 1,14...1,4mm contribuie la menținerea temperaturii optime și la durabilitatea pe termen lung a acestui tranzistor de înaltă calitate.
Detalii ale produsului
1064 Produse

Fisa tehnica

Referință CSD19505KCS
Producător TEXAS INSTRUMENTS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 300W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Polarizare unipolar
Curent drenă 150A
Tensiune drenă-sursă 80V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 2,6mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 76nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie NexFET™
Grosime radiator 1,14...1,4mm
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: