Descriere
Tranzistorul N-MOSFET CoolMOS™ CFD7 unipolar 650V 5A Idm: 51A, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj tub și poate fi montat cu tehnologia THT. Cu o putere disipată de 26W, acesta poate gestiona un curent de drenaj în impuls de până la 51A. Polarizarea unipolară a tranzistorului îl face ideal pentru diverse aplicații.
Cu un curent de drenaj de 5A și o tensiune drenaj-sursă de 650V, acest tranzistor asigură performanțe fiabile și eficiente. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,17Ω contribuie la funcționarea stabilă a dispozitivului. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 28nC fac din acest tranzistor o alegere de încredere pentru aplicațiile dvs.
Tranzistorul N-MOSFET CoolMOS™ CFD7 este fabricat cu tehnologia de vârf CoolMOS™ CFD7, asigurând performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Cu o gamă largă de caracteristici excelente, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Optați pentru acest tranzistor de înaltă calitate pentru a vă îmbunătăți proiectele electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IPA60R170CFD7XKSA1 |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
26W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220FP |
Curent de drenă în impuls |
51A |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
5A |
Tensiune drenă-sursă |
650V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,17Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
28nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
CoolMOS™ CFD7 |
Fisiere asociate
Descarcari