Categorii
Tranzistor N-MOSFET 100V 200A 550W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 100V 200A 550W TO3P | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 100V 200A 550W TO3P

IXTQ200N10T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
77,28 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar 100V 200A 550W TO3P 76ns este un produs de înaltă calitate, fabricat de către IXYS, un producător de renume în industria electronică. Acest tranzistor este ambalat într-un tub, ușor de montat în tehnologia THT, având o carcasă TO3P durabilă. Cu o putere disipată impresionantă de 550W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere mare.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ un gate power mosfet de tip thrench, polarizare unipolară și un curent de drenaj de 200A. Tensiunea drenaj-sursă de 100V și rezistența în timpul funcționării de 5,5mΩ asigură o performanță excelentă în aplicațiile de putere.

Subtipul canalului îmbogățit și încărcătura portii de 152nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații de comutare rapide. Tipul N-MOSFET și timpul de restabilire rapid de 76ns fac ca acest tranzistor să fie potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Cu Tranzistorul IXYS N-MOSFET, veți obține performanță și fiabilitate de încredere pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
6 Produse

Fisa tehnica

Referință IXTQ200N10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 550W
Montare THT
Carcasă TO3P
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 200A
Tensiune drenă-sursă 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării 5,5mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 152nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 76ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
65 produse asociate: