Categorii
N-MOSFET Tranzistor SiC 1,2kV 17A TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor SiC 1,2kV 17A TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor SiC 1,2kV 17A TO247 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor SiC 1,2kV 17A TO247

SCT3160KLGC11
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 17A; 103W; TO247
109,90 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

37.55 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 17A 103W TO247 de la ROHM SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 103W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de condiții de funcționare. Cu un curent de drenaj de 17A și o rezistență în timpul funcționării de 0,16Ω, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent mari fără probleme. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 42nC, ceea ce asigură o conducere eficientă a semnalului. Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia SiC, ceea ce îl face durabil și eficient din punct de vedere energetic. În plus, acesta este ambalat într-un tub TO247 pentru o montare simplă și sigură în diverse aplicații.
Detalii ale produsului
24 Produse

Fisa tehnica

Referință SCT3160KLGC11
Producător ROHM SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 103W
Montare THT
Carcasă TO247
Polarizare unipolar
Curent drenă 17A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,16Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 42nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: