Tranzistorul N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 17A 103W TO247 de la ROHM SEMICONDUCTOR este un produs de înaltă calitate, potrivit pentru o varietate de aplicații electronice. Acest tranzistor are o putere disipată de 103W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie. Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 1,2kV, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de condiții de funcționare. Cu un curent de drenaj de 17A și o rezistență în timpul funcționării de 0,16Ω, acest tranzistor poate gestiona sarcini de curent mari fără probleme. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 42nC, ceea ce asigură o conducere eficientă a semnalului. Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia SiC, ceea ce îl face durabil și eficient din punct de vedere energetic. În plus, acesta este ambalat într-un tub TO247 pentru o montare simplă și sigură în diverse aplicații.
Detalii ale produsului
24 Produse
Fisa tehnica
Referință
SCT3160KLGC11
Producător
ROHM SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
103W
Montare
THT
Carcasă
TO247
Polarizare
unipolar
Curent drenă
17A
Tensiune drenă-sursă
1,2kV
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,16Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
42nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
SiC
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.