Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 300V 86A 860W TO247-3 este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere disipată mare. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.
Cu un subtip de ambalaj tub TO247-3 și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații. Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o polarizare unipolară, un curent de drenă de 86A și o tensiune drenă-sursă de 300V.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 46mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 143nC.
Tranzistorul IXYS N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acesta este potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale, fiind un component esențial în proiectarea circuitelor electronice avansate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXFH86N30T |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
860W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247-3 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
thrench gate power mosfet |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
86A |
Tensiune drenă-sursă |
300V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
46mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
143nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari