Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 300V 86A 860W TO247-3

IXFH86N30T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 86A; 860W; TO247-3
94,60 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS N-MOSFET unipolar de 300V 86A 860W TO247-3 este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o putere disipată mare. Acest tranzistor este fabricat de IXYS, un producător de renume în industria electronică.

Cu un subtip de ambalaj tub TO247-3 și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații. Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o polarizare unipolară, un curent de drenă de 86A și o tensiune drenă-sursă de 300V.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 46mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în funcționare. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 143nC.

Tranzistorul IXYS N-MOSFET este soluția ideală pentru aplicații care necesită o putere mare și o fiabilitate ridicată. Acesta este potrivit pentru diverse aplicații industriale și comerciale, fiind un component esențial în proiectarea circuitelor electronice avansate.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXFH86N30T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 860W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 86A
Tensiune drenă-sursă 300V
Rezistenţă în timpul funcţionării 46mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 143nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: