Categorii
Tranzistor N-MOSFET 800V 5.5A 60W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 5.5A 60W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 5.5A 60W IPAK

IPU80R600P7AKMA1
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5,5A; 60W; IPAK
17,70 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 5,5A 60W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare de până la 60W. Acest tranzistor are o polarizare unipolară și este echipat cu o poartă protejată împotriva descărcărilor electrostatice (ESD).

Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o rezistență în timpul funcționării de 0,6Ω, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și fiabilă în diverse aplicații. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 20nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la semnal.

Tranzistorul N-MOSFET este montat într-un ambalaj de tip tub și are o carcasă IPAK, facilitând instalarea și integrarea în diverse dispozitive electronice. Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V și un curent drenă de 5,5A, acest tranzistor oferă performanțe excelente și eficiență energetică. Tehnologia CoolMOS™ P7 aduce un plus de fiabilitate și durabilitate acestui tranzistor, asigurând o funcționare optimă pe termen lung.
Detalii ale produsului
6 Produse

Fisa tehnica

Referință IPU80R600P7
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 60W
Montare THT
Carcasă IPAK
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Polarizare unipolar
Curent drenă 5,5A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,6Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 20nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie CoolMOS™ P7
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: