Categorii
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
  • Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR

DIF120SIC053-DIO
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
92,54 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR este o soluție avansată pentru aplicații de putere, oferind performanțe superioare datorită tehnologiei de carbon silicon (SiC). Proiectat de DIOTEC SEMICONDUCTOR, acest tranzistor de tip N-MOSFET este ideal pentru utilizări în medii exigente, având o capacitate de disipare a puterii de 278W.

Cu o carcasă TO247-4 și montare THT, acest produs este ușor de integrat în diverse circuite electronice. Curentul de drenă de 46A și curentul de drenă în impuls de 100A permit gestionarea eficientă a sarcinilor mari, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 1,2kV asigură un nivel ridicat de siguranță și fiabilitate.

Caracteristicile avansate ale elementelor semiconductoare, precum terminalul Kelvin și rezistența în timpul funcționării de doar 65mΩ, contribuie la eficiența energetică a aplicațiilor. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit garantează o performanță optimă în condiții de operare variate. Cu o încărcătură a porții de 121nC și o tensiune poartă-sursă între -4...18V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații moderne de control al energiei.

Alegeți Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 46A DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții eficiente și durabile în domeniul electronicii de putere.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIF120SIC053-DIO
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 278W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 100A
Polarizare unipolar
Curent drenă 46A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 121nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: