Tranzistorul IXFL82N60P este un N-MOSFET unipolar de la IXYS, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile dumneavoastră electronice. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent de drenare de 55A, acest tranzistor este perfect pentru sarcini de putere medie și mare. Carcasa ISOPLUS264™ asigură o disipare eficientă a căldurii, permitând o putere disipată de până la 625W.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 80mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă în aplicațiile dumneavoastră. Subtipul canalului este îmbogățit, iar polarizarea este unipolară, asigurând o funcționare stabilă și fiabilă. Montat în mod tradițional (THT) și ambalat într-un tub, acest tranzistor este ușor de integrat în proiectele dumneavoastră.
Cu o încărcătură de poartă de 240nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă a sarcinilor. Fiind un N-MOSFET, acesta este potrivit pentru aplicații de comutare și amplificare. Cu Tranzistorul IXFL82N60P de la IXYS, veți obține performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung în proiectele dumneavoastră electronice.