Categorii
Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 800V 8.4A 183W

WMJ80R350S
Tranzistor: N-MOSFET; WMOS™ S; unipolar; 800V; 8,4A; Idm: 56A; 183W
47,47 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET WAYON WMOS™ S unipolar 800V 8,4A Idm: 56A 183W este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere de disipare ridicată. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale tehnice de top, precum carcasa TO247-3 durabilă și montarea pe plăci cu găuri. Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și o rezistență în timpul funcționării de doar 0,33Ω, acest tranzistor asigură un flux de curent stabil și eficient. De asemenea, subtipul său de canal îmbogățit și tehnologia WMOS™ S îl fac potrivit pentru o gamă variată de aplicații industriale și comerciale. Cu o încărcătură de poartă de 31nC și un curent de drenă de 8,4A, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
298 Produse

Fisa tehnica

Referință WMJ80R350S-CYG
Producător WAYON
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 183W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Curent de drenă în impuls 56A
Polarizare unipolar
Curent drenă 8,4A
Tensiune drenă-sursă 800V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,33Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 31nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie WMOS™ S
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: