Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 0,94A 1,3W DIP4 de la VISHAY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicații care necesită o soluție fiabilă și eficientă din punct de vedere energetic. Acest tranzistor este fabricat de către VISHAY, un producător de încredere din industria electronică. Cu o montare prin găuri tehnologice (THT), acest tranzistor este ușor de integrat în designurile dvs. existente.
Carcasa DIP4 oferă protecție și durabilitate, asigurând o disipare eficientă a puterii de până la 1,3W. Polarizarea unipolară a acestui tranzistor îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu un curent de drenaj de 0,94A și o tensiune de drenaj-sursă de 100V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere semnificative.
Tensiunea poartă-sursă de ±20V asigură o funcționare stabilă și precisă, în timp ce rezistența redusă de 0,27Ω maximizează eficiența energetică. Subtipul canalului este îmbogățit, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu o încărcătură a porții de 16nC, acest tranzistor oferă performanțe excelente într-o varietate de aplicații.
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 100V 0,94A 1,3W DIP4 de la VISHAY este soluția ideală pentru proiectele dvs. electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanță deosebită. Alegeți acest tranzistor pentru a beneficia de calitate superioară și funcționalitate remarcabilă în proiectele dvs.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRFD120PBF |
Producător |
VISHAY |
Putere disipată |
1,3W |
Montare |
THT |
Carcasă |
DIP4 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
0,94A |
Tensiune drenă-sursă |
100V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,27Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
16nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari