Categorii
Tranzistor N-MOSFET 30V 160A 135W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 30V 160A 135W IPAK | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 30V 160A 135W IPAK

IRLU8743PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; IPAK
21,02 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 30V 160A 135W IPAK de la INFINEON TECHNOLOGIES este un component electronic de înaltă performanță potrivit pentru diverse aplicații din domeniul electronic. Fiind produs de INFINEON TECHNOLOGIES, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor.

Montarea acestui tranzistor se face prin tehnologia THT, iar carcasa IPAK oferă protecție și durabilitate. Cu o putere disipată de 135W, acest tranzistor poate face față unor sarcini exigente. Caracteristicile elementelor semiconductoare sunt de tip logic level, asigurând o funcționare precisă și eficientă.

Polarizarea unipolară a acestui tranzistor N-MOSFET îl face potrivit pentru aplicații specifice. Cu un curent de drenă de 160A și o tensiune drenă-sursă de 30V, acest tranzistor poate gestiona sarcini semnificative. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 3,1mΩ contribuie la performanța excelentă a acestui component.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 39nC asigură o funcționare stabilă. Acest tranzistor N-MOSFET este parte din tehnologia HEXFET®, ceea ce garantează o funcționare de înaltă calitate și eficiență. Cu aceste caracteristici impresionante, tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
140 Produse

Fisa tehnica

Referință IRLU8743PBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Putere disipată 135W
Montare THT
Carcasă IPAK
Caracteristici elemente semiconductoare logic level
Polarizare unipolar
Curent drenă 160A
Tensiune drenă-sursă 30V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 3,1mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 39nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: