Tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ STMicroelectronics este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor de putere are o polarizare unipolară și poate funcționa la o tensiune drenă-sursă de 600V, cu o putere disipată de până la 330W. Cu o curent drenă de 28A și o rezistență în timpul funcționării de doar 55mΩ, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă a puterii.
Carcasa TO247 oferă o montare convenabilă pe placa de circuit, iar subtipul de ambalaj tub asigură protecție împotriva factorilor externi. Tensiunea poartă-sursă de ±25V permite controlul precis al tranzistorului, în timp ce tehnologia MDmesh™ asigură o performanță excelentă și o durată lungă de viață a dispozitivului.
Cu subtipul de canal îmbogățit și tipul de tranzistor N-MOSFET, acest produs este potrivit pentru aplicații de comutare de putere, invertor sau amplificare. Fiabilitatea și performanța excelentă fac din tranzistorul N-MOSFET MDmesh™ o alegere ideală pentru proiectele dumneavoastră electronice de înaltă calitate.