Categorii
N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 200V 9.5A 82W TO220AB

IRF630NPBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9,5A; 82W; TO220AB
11,10 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 9,5A 82W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă performanță, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor are o putere disipată de 82W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini grele. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă.

Cu un curent de drenaj de 9,5A și o tensiune drenaj-sursă de 200V, acest tranzistor poate gestiona cu ușurință sarcini mari. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,3Ω contribuie la performanța excelentă a acestui dispozitiv.

Tranzistorul are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură de poartă de 23,3nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la viteză. Cu tehnologia HEXFET®, acest tranzistor oferă o fiabilitate ridicată și o durată lungă de viață.

Împachetat într-un tub și cu montare THT, acest tranzistor este ușor de instalat și potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu Tranzistorul N-MOSFET unipolar 200V 9,5A 82W TO220AB de la INFINEON TECHNOLOGIES, puteți fi sigur că veți obține performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
268 Produse

Fisa tehnica

Referință IRF630NPBF
Producător INFINEON TECHNOLOGIES
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 82W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 9,5A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,3Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 23,3nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie HEXFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
340 produse asociate: