Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 400V 0.31A 1W DIP4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 400V 0.31A 1W DIP4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 400V 0.31A 1W DIP4

IRFD320PBF
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 0,31A; 1W; DIP4
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 400V 0,31A 1W DIP4 de la VISHAY este un dispozitiv electronice de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere disipată de până la 1W. Acest tranzistor se remarcă prin polarizarea unipolară, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu un curent de drenaj de 0,31A și o tensiune drenaj-sursă de 400V, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă.

Carcasa DIP4 asigură o montare simplă și sigură, iar rezistența în timpul funcționării de 1,8Ω îl face potrivit pentru aplicații care necesită o conducere stabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 20nC, ceea ce îl face ideal pentru aplicații sensibile la semnal.

Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă într-o varietate de aplicații. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor oferă o performanță superioară în ceea ce privește controlul și eficiența, ceea ce îl face o alegere excelentă pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IRFD320PBF
Producător VISHAY
Putere disipată 1W
Montare THT
Carcasă DIP4
Polarizare unipolar
Curent drenă 0,31A
Tensiune drenă-sursă 400V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 1,8Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 20nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: