Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 400V 0,31A 1W DIP4 de la VISHAY este un dispozitiv electronice de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere disipată de până la 1W. Acest tranzistor se remarcă prin polarizarea unipolară, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă largă de aplicații. Cu un curent de drenaj de 0,31A și o tensiune drenaj-sursă de 400V, acest tranzistor oferă o funcționare fiabilă și eficientă.
Carcasa DIP4 asigură o montare simplă și sigură, iar rezistența în timpul funcționării de 1,8Ω îl face potrivit pentru aplicații care necesită o conducere stabilă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura porții este de 20nC, ceea ce îl face ideal pentru aplicații sensibile la semnal.
Cu o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă într-o varietate de aplicații. Fiind un N-MOSFET, acest tranzistor oferă o performanță superioară în ceea ce privește controlul și eficiența, ceea ce îl face o alegere excelentă pentru proiectele electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRFD320PBF |
Producător |
VISHAY |
Putere disipată |
1W |
Montare |
THT |
Carcasă |
DIP4 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
0,31A |
Tensiune drenă-sursă |
400V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
1,8Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
20nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Fisiere asociate
Descarcari