Categorii
Tranzistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 100A 278W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 100A 278W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET SiC unipolar 1,2kV 46A Idm: 100A 278W

DIF120SIC053-AQ
Tranzistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 46A; Idm: 100A; 278W
180,36 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

55.21 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Descoperiți puterea și fiabilitatea tranzistorului N-MOSFET SiC unipolar de la DIOTEC SEMICONDUCTOR, conceput să îndeplinească cele mai exigente cerințe ale domeniului auto. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă de 46A, acest component oferă performanțe excepționale, având capacitatea de a gestiona impulsuri de curent de până la 100A.

Montat prin tehnologia THT și prezentat într-o carcasă robustă TO247-4, tranzistorul se dovedește a fi ideal pentru aplicații care necesită disipare semnificativă de putere, cu o capacitate de 278W. Datorită caracteristicilor sale avansate, cum ar fi terminalul Kelvin și rezistența de 65mΩ în timpul funcționării, acest N-MOSFET asigură eficiență ridicată și performanțe optime.

Cu o polarizare unipolară și o tensiune poartă-sursă variabilă între -4 și 18V, acest tranzistor este perfect pentru aplicații complexe în care precizia și controlul sunt esențiale. Încărcătura poartă de 121nC și canalul îmbogățit contribuie la o rezistență minimă și la o operare stabilă. Alegeți tranzistorul N-MOSFET SiC de la DIOTEC SEMICONDUCTOR pentru soluții de electronică de înaltă performanță și fiabilitate.
Detalii ale produsului
30 Produse

Fisa tehnica

Referință DIF120SIC053-AQ
Producător DIOTEC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 278W
Utilizare domeniul auto
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 100A
Polarizare unipolar
Curent drenă 46A
Tensiune drenă-sursă 1,2kV
Tensiune poartă-sursă -4...18V
Rezistenţă în timpul funcţionării 65mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 121nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: