Tranzistor N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY este soluția perfectă pentru aplicațiile de putere înaltă care necesită eficiență și fiabilitate. Proiectat de MICROCHIP TECHNOLOGY, acest tranzistor se remarcă prin carcasa TO247MAX, ideală pentru montarea THT, asigurând o integrare ușoară în diverse circuite.
Cu o putere disipată de 1135W și un curent de drenă de 29A, acest N-MOSFET se distinge prin capacitatea sa de a suporta un curent de drenă în impuls de până la 173A, oferind astfel performanțe superioare în condiții extreme. Tensiunea drenă-sursă de 800V și tensiunea poartă-sursă de ±30V îl fac potrivit pentru aplicații de înaltă tensiune.
Rezistența în timpul funcționării de doar 0,21Ω garantează o eficiență energetică ridicată, în timp ce subtipul canalului îmbogățit și încărcătura poartă de 305nC asigură un control excelent al semnalului. Tehnologia avansată POWER MOS 8® asigură o performanță stabilă și de lungă durată.
Alegeți Tranzistorul N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY pentru a beneficia de fiabilitate, eficiență și tehnologie de vârf în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
25 Produse
Fisa tehnica
Referință
APT44F80B2
Producător
MICROCHIP TECHNOLOGY
Putere disipată
1135W
Montare
THT
Carcasă
TO247MAX
Curent de drenă în impuls
173A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
29A
Tensiune drenă-sursă
800V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,21Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
305nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
POWER MOS 8®
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.