Categorii
N-MOSFET Tranzistor 500V 13A 85W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 500V 13A 85W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 500V 13A 85W

P13F50HP2-5600
Tranzistor: N-MOSFET; Hi-PotMOS2; unipolar; 500V; 13A; Idm: 52A; 85W
8,76 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar de la SHINDENGEN este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o tensiune de drenaj de până la 500V și un curent de drenaj de 13A. Cu o putere disipată de 85W și o rezistență în timpul funcționării de 0,6Ω, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi o funcționare fiabilă și eficientă.

Cu un curent de drenaj în impuls de 52A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest dispozitiv este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tehnologia Hi-PotMOS2 asigură o performanță excelentă și o durabilitate îndelungată.

Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN este disponibil în ambalaj în vrac și se montează folosind tehnologia THT. Cu o încărcătură de poartă de 25nC, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice, de la surse de alimentare la amplificatoare de semnal. Alegeți performanța și fiabilitatea cu tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN.
Detalii ale produsului
413 Produse

Fisa tehnica

Referință P13F50HP2-5600
Producător SHINDENGEN
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 85W
Montare THT
Carcasă FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls 52A
Polarizare unipolar
Curent drenă 13A
Tensiune drenă-sursă 500V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 0,6Ω
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 25nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: