Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar de la SHINDENGEN este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o tensiune de drenaj de până la 500V și un curent de drenaj de 13A. Cu o putere disipată de 85W și o rezistență în timpul funcționării de 0,6Ω, acest tranzistor este proiectat pentru a oferi o funcționare fiabilă și eficientă.
Cu un curent de drenaj în impuls de 52A și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest dispozitiv este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și precisă. Subtipul canalului este îmbogățit, iar tehnologia Hi-PotMOS2 asigură o performanță excelentă și o durabilitate îndelungată.
Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN este disponibil în ambalaj în vrac și se montează folosind tehnologia THT. Cu o încărcătură de poartă de 25nC, acest tranzistor este potrivit pentru o varietate de aplicații electronice, de la surse de alimentare la amplificatoare de semnal. Alegeți performanța și fiabilitatea cu tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN.
Detalii ale produsului
413 Produse
Fisa tehnica
Referință
P13F50HP2-5600
Producător
SHINDENGEN
Subtip ambalaj
în vrac
Putere disipată
85W
Montare
THT
Carcasă
FTO-220AG (SC91)
Curent de drenă în impuls
52A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
13A
Tensiune drenă-sursă
500V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
0,6Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
25nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
Hi-PotMOS2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.