Descriere
Tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ unipolar 200V 96A 600W TO3P de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristici de top, cum ar fi carcasa TO3P durabilă și subtipul ambalajului în tub pentru o montare ușoară. Cu o putere disipată impresionantă de 600W, acest tranzistor poate face față cu succes cerințelor de putere ridicate.
Datorită polarizării unipolare, acest tranzistor oferă o performanță fiabilă și constantă. Cu o tensiune drenă-sursă de 200V și un curent drenă de 96A, este potrivit pentru aplicații care necesită o putere semnificativă. De asemenea, tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 24mΩ îl fac ideal pentru aplicații cu cerințe specifice de tensiune și rezistență.
Tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ are un subtip de canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 145nC, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu necesități speciale. Cu un timp de restabilire rapid de 160ns și tehnologia inovatoare PolarHT™, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung. Alegeți tranzistorul N-MOSFET PolarHT™ de la IXYS pentru aplicații electronice de înaltă performanță.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTQ96N20P |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
600W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO3P |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
96A |
Tensiune drenă-sursă |
200V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
24mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
145nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
160ns |
Tehnologie |
PolarHT™ |
Fisiere asociate
Descarcari