Descoperiți performanța de vârf cu tranzistorul unipolar 650V 50A de la Wayo, un component esențial pentru aplicațiile dvs. de putere. Proiectat pentru a susține cele mai exigente cerințe, acest N-MOSFET utilizează tehnologia avansată WMOS™ F2, care asigură o eficiență energetică excelentă și o disipare a căldurii optimă, cu o putere disipată de până la 430W.
Cu un curent de drenă impresionant de 50A și capacabilitate de a gestiona impulsuri de până la 295A, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de comutare rapidă și control al motorului. Tensiunea drenă-sursă de 650V, combinată cu o rezistență în timpul funcționării de doar 33mΩ, garantează o performanță robustă și fiabilitate pe termen lung.
Designul său compact TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea în diverse sisteme electronice. De asemenea, polarizarea unipolară și subtipul canal îmbogățit contribuie la o operare eficientă, în timp ce încărcătura poartă de 142nC asigură o comutare rapidă și precisă.
Alegeți tranzistorul unipolar Wayo 650V 50A pentru a ridica performanța proiectelor dvs. la următorul nivel, beneficiind de tehnologie de ultimă generație și fiabilitate dovedită.
Detalii ale produsului
20 Produse
Fisa tehnica
Referință
WMJ90N65F2-CYG
Producător
WAYON
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
430W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Curent de drenă în impuls
295A
Polarizare
unipolar
Curent drenă
50A
Tensiune drenă-sursă
650V
Tensiune poartă-sursă
±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării
33mΩ
Subtip canal
îmbogăţit
Încărcătură poartă
142nC
Tip tranzistor
N-MOSFET
Tehnologie
WMOS™ F2
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.