Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 200V 17,8A 156W TO220AB este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este fabricat de ONSEMI și este disponibil într-un tub de tip ambalaj THT pentru o montare ușoară. Carcasa TO220AB asigură o disipare eficientă a puterii de până la 156W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 17,8A și o tensiune drenaj-sursă de 200V. Tensiunea poartă-sursă de ±30V oferă o protecție suplimentară împotriva supratensiunilor. Cu o rezistență în timpul funcționării de 82mΩ, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 110nC îl face potrivit pentru aplicații cu comutare rapidă. Acest tranzistor N-MOSFET de tip QFET® este soluția perfectă pentru proiectele care necesită performanțe superioare și fiabilitate de lungă durată.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FQP32N20C |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
156W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
17,8A |
Tensiune drenă-sursă |
200V |
Tensiune poartă-sursă |
±30V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
82mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
110nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
QFET® |
Fisiere asociate
Descarcari