Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-MOSFET 200V 17.8A 156W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 200V 17.8A 156W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 200V 17.8A 156W TO220AB

FQP32N20C
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17,8A; 156W; TO220AB
14,59 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul ONSEMI N-MOSFET unipolar 200V 17,8A 156W TO220AB este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor este fabricat de ONSEMI și este disponibil într-un tub de tip ambalaj THT pentru o montare ușoară. Carcasa TO220AB asigură o disipare eficientă a puterii de până la 156W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere.

Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenaj de până la 17,8A și o tensiune drenaj-sursă de 200V. Tensiunea poartă-sursă de ±30V oferă o protecție suplimentară împotriva supratensiunilor. Cu o rezistență în timpul funcționării de 82mΩ, acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.

Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă de 110nC îl face potrivit pentru aplicații cu comutare rapidă. Acest tranzistor N-MOSFET de tip QFET® este soluția perfectă pentru proiectele care necesită performanțe superioare și fiabilitate de lungă durată.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință FQP32N20C
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 156W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 17,8A
Tensiune drenă-sursă 200V
Tensiune poartă-sursă ±30V
Rezistenţă în timpul funcţionării 82mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 110nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Tehnologie QFET®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: