Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la INFINEON TECHNOLOGIES este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații în care este necesar un control precis al curentului și tensiunii. Cu o putere disipată de 160W și o curent drenă de 80A, acest tranzistor este perfect pentru a fi utilizat în diverse proiecte electronice. Carcasa TO220AB asigură o montare ușoară și sigură, iar subtipul ambalajului în tub oferă protecție suplimentară împotriva deteriorării.
Cu o tensiune drenă-sursă de 60V și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o performanță excelentă în diverse aplicații. Rezistența în timpul funcționării de 5,1mΩ și subtipul canalului îmbogățit asigură o conductivitate optimă și o eficiență ridicată. Încărcătura poartă de 88nC permite un control precis al poziției tranzistorului.
Acest tranzistor N-MOSFET este fabricat folosind tehnologia HEXFET®, ceea ce garantează o durabilitate și fiabilitate deosebită. Cu caracteristici precum polarizare unipolară și montare THT, acest dispozitiv este alegerea perfectă pentru proiectele tale electronice. Optează pentru tranzistorul INFINEON TECHNOLOGIES și beneficiază de performanță și calitate superioare.