Tranzistorul IXFH88N30P este un dispozitiv puternic și eficient, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Cu o putere disipată impresionantă de 600W, acest tranzistor unipolar N-MOSFET este proiectat pentru a face față cerințelor de curent drenat de până la 88A. Cu o tensiune drenă-sursă de 300V și o rezistență în timpul funcționării de doar 40mΩ, acest tranzistor este ideal pentru aplicații care necesită o performanță superioară.
Carcasa TO247-3 asigură o montare simplă și sigură, iar subtipul de ambalaj sub formă de tub oferă protecție suplimentară împotriva factorilor externi. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații, iar subtipul canalului îmbogățit îmbunătățește performanțele în condiții de funcționare dificile.
Cu o încărcătură de poartă de 180nC, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și eficientă a curentului. În concluzie, tranzistorul IXFH88N30P este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită o combinație de putere, eficiență și fiabilitate.