Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin puterea sa de disipare de 100W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie. Cu o polarizare unipolară, acesta oferă o performanță fiabilă și constantă în timpul funcționării.
Cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența sa în timpul funcționării de 10Ω asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă.
Subtipul canalului sărăcit și încărcătura poartă de 645nC îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Cu un timp de restabilire de 11ns, acest tranzistor garantează o performanță de vârf în aplicațiile dumneavoastră.
Cu un subtip de ambalaj de tip tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în proiectele dumneavoastră. Carcasa TO220AB oferă o protecție suplimentară împotriva deteriorării și asigură o durabilitate sporită.
În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice, oferind o performanță superioară și o fiabilitate remarcabilă. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTP1R6N100D2 |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
100W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO220AB |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
1,6A |
Tensiune drenă-sursă |
1kV |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
10Ω |
Subtip canal |
sărăcit |
Încărcătură poartă |
645nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
11ns |
Fisiere asociate
Descarcari