Categorii
  • Stoc epuizat
N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Unipolar 1kV 1.6A 100W TO220AB

IXTP1R6N100D2
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1,6A; 100W; TO220AB; 11ns
36,58 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor se remarcă prin puterea sa de disipare de 100W, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie. Cu o polarizare unipolară, acesta oferă o performanță fiabilă și constantă în timpul funcționării.

Cu o tensiune drenă-sursă de 1kV și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor asigură o funcționare stabilă și eficientă. Rezistența sa în timpul funcționării de 10Ω asigură o disipare eficientă a căldurii, menținând tranzistorul la o temperatură optimă.

Subtipul canalului sărăcit și încărcătura poartă de 645nC îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă. Cu un timp de restabilire de 11ns, acest tranzistor garantează o performanță de vârf în aplicațiile dumneavoastră.

Cu un subtip de ambalaj de tip tub și montare THT, acest tranzistor este ușor de integrat în proiectele dumneavoastră. Carcasa TO220AB oferă o protecție suplimentară împotriva deteriorării și asigură o durabilitate sporită.

În concluzie, tranzistorul N-MOSFET unipolar 1kV 1,6A 100W TO220AB 11ns de la IXYS este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice, oferind o performanță superioară și o fiabilitate remarcabilă. Alegeți calitatea și performanța cu acest tranzistor de înaltă calitate de la IXYS.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXTP1R6N100D2
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 100W
Montare THT
Carcasă TO220AB
Polarizare unipolar
Curent drenă 1,6A
Tensiune drenă-sursă 1kV
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 10Ω
Subtip canal sărăcit
Încărcătură poartă 645nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 11ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: