Descriere
Tranzistor N-MOSFET IXYS 100V 180A 480W TO263 72ns este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere care necesită eficiență și fiabilitate. Fabricat de renumitul producător IXYS, acest tranzistor este montat în configurație SMD, facilitând integrarea în circuite compacte. Carcasa TO263 asigură o disipare optimă a căldurii, permițând o putere disipată de până la 480W.
Datorită caracteristicilor avansate ale elementelor semiconductoare, precum thrench gate power MOSFET, acest tranzistor oferă o polarizare unipolară, cu un curent drenă maxim de 180A și o tensiune drenă-sursă de 100V. Rezistența în timpul funcționării de doar 6,4mΩ asigură pierderi minime de energie, în timp ce subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare.
Încărcătura poartă de 151nC și timpul de restabilire rapid de 72ns îl fac potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Acest tranzistor N-MOSFET IXYS este alegerea perfectă pentru inginerii care caută soluții eficiente și durabile în proiectele lor electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXTA180N10T |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
480W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
TO263 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
thrench gate power mosfet |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
180A |
Tensiune drenă-sursă |
100V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
6,4mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
151nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Timp de restabilire |
72ns |
Fisiere asociate
Descarcari