Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
  • Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns

Tranzistor N-MOSFET IXYS 100V 180A 480W TO263 72ns

IXTA180N10T
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO263; 72ns
53,69 lei
Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor N-MOSFET IXYS 100V 180A 480W TO263 72ns este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de putere care necesită eficiență și fiabilitate. Fabricat de renumitul producător IXYS, acest tranzistor este montat în configurație SMD, facilitând integrarea în circuite compacte. Carcasa TO263 asigură o disipare optimă a căldurii, permițând o putere disipată de până la 480W.

Datorită caracteristicilor avansate ale elementelor semiconductoare, precum thrench gate power MOSFET, acest tranzistor oferă o polarizare unipolară, cu un curent drenă maxim de 180A și o tensiune drenă-sursă de 100V. Rezistența în timpul funcționării de doar 6,4mΩ asigură pierderi minime de energie, în timp ce subtipul canal îmbogățit contribuie la performanțe superioare.

Încărcătura poartă de 151nC și timpul de restabilire rapid de 72ns îl fac potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Acest tranzistor N-MOSFET IXYS este alegerea perfectă pentru inginerii care caută soluții eficiente și durabile în proiectele lor electronice.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXTA180N10T
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 480W
Montare SMD
Carcasă TO263
Caracteristici elemente semiconductoare thrench gate power mosfet
Polarizare unipolar
Curent drenă 180A
Tensiune drenă-sursă 100V
Rezistenţă în timpul funcţionării 6,4mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 151nC
Tip tranzistor N-MOSFET
Timp de restabilire 72ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: