Tranzistor N-MOSFET IXYS 600V 50A 1040W TO268

Tranzistor N-MOSFET IXYS 600V 50A 1040W TO268 este soluția ideală pentru aplicații de putere ridicată, oferind performanțe excelente și fiabilitate în condiții exigente. Proiectat de IXYS, acest tranzistor de tip N-MOSFET dispune de o carcasă SMD TO268, facilitând integrarea ușoară în diverse circuite electronice. Cu un curent maxim de drenă de 50A și o tensiune drenă-sursă de 600V, acesta este perfect pentru aplicații care necesită control de putere precis.

Puterea disipată de 1,04 kW asigură capacitatea de a gestiona sarcini mari fără riscul de supraîncălzire. Datorită polarizării unipolare și a rezistenței în timpul funcționării de doar 0,16Ω, eficiența energetică este considerabil îmbunătățită, reducând pierderile de energie. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 94nC contribuie la o comutare rapidă și eficientă, ideală pentru aplicații de comutare înalte.

Acest tranzistor este ambalat în tub, asigurând o protecție optimă în timpul transportului și depozitării. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET IXYS 600V 50A 1040W TO268 pentru proiectele dumneavoastră de electronică avansată și beneficiați de tehnologia de vârf oferită de IXYS.