Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este un component electronic puternic și fiabil, perfect pentru aplicațiile tale de putere. Cu o putere disipată impresionantă de 310W și o carcasa D2PAK durabilă, acest tranzistor este proiectat pentru a face față cerințelor tale de curent ridicat.
Cu o polarizare unipolară și o tensiune drenă-sursă de 75V, acest tranzistor oferă performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Rezistența în timpul funcționării de 8,4mΩ asigură o disipare eficientă a căldurii, prevenind supraincălzirea și protejând astfel componentele delicate din circuitul tău.
Cu un curent de drenă de 90A și o tensiune poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicațiile de putere care necesită o comutare rapidă și eficientă. Tehnologia PowerTrench® asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață a tranzistorului.
Indiferent dacă proiectezi un circuit de putere pentru aplicații industriale sau pentru proiecte DIY, tranzistorul N-MOSFET unipolar de la ONSEMI este alegerea perfectă pentru nevoile tale de inginerie electronică. Alege performanța și fiabilitatea cu acest tranzistor de înaltă calitate!
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
FDB045AN08A0 |
Producător |
ONSEMI |
Subtip ambalaj |
bandă
rolă |
Putere disipată |
310W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
D2PAK |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
90A |
Tensiune drenă-sursă |
75V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
8,4mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
138nC |
Tip tranzistor |
N-MOSFET |
Tehnologie |
PowerTrench® |
Fisiere asociate
Descarcari