Tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații. Acest tranzistor are o tensiune drenă-sursă de 600V și poate suporta un curent de drenaj de până la 2,4A, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de putere medie. Carcasa DPAK asigură o disipare eficientă a căldurii, permitându-i să funcționeze la putere maximă de 83W.
Cu o polarizare unipolară și o rezistență în timpul funcționării de 2Ω, acest tranzistor oferă performanțe stabile și fiabile în diverse condiții de funcționare. Subtipul de canal îmbogățit îl face potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de performanță și eficiență. Montarea SMD facilitează integrarea acestui tranzistor într-o varietate de circuite electronice.
Tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI este alegerea perfectă pentru proiectele care necesită un dispozitiv de comutare puternic și eficient energetic. Cu o tensiune poartă-sursă de ±25V, acest tranzistor oferă o margine de siguranță suficientă pentru a asigura o funcționare stabilă și fiabilă în aplicațiile dumneavoastră. Optați pentru calitate și performanță superioară cu tranzistorul N-MOSFET unipolar ONSEMI!
Detalii ale produsului
2424 Produse
Fisa tehnica
Referință
FDD5N60NZTM
Producător
ONSEMI
Subtip ambalaj
bandă
rolă
Putere disipată
83W
Montare
SMD
Carcasă
DPAK
Polarizare
unipolar
Curent drenă
2,4A
Tensiune drenă-sursă
600V
Tensiune poartă-sursă
±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării
2Ω
Subtip canal
îmbogăţit
Tip tranzistor
N-MOSFET
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.