Descriere
Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar de la DIODES INCORPORATED este o alegere excelentă pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acesta este disponibil într-un subtip de ambalaj sub formă de rolă sau bandă, ceea ce îl face ușor de montat utilizând tehnologia SMD. Carcasa MSOP8 oferă o protecție eficientă și o dispersie optimă a căldurii, permițând o putere disipată de până la 1,25W.
Cu o polarizare unipolară, acest tranzistor are o capacitate de curent de drenaj de 1,9A și o tensiune drenaj-sursă de 30V, asigurând performanțe fiabile în diverse aplicații. Tensiunea poartă-sursă de ±20V și rezistența în timpul funcționării de 0,2Ω contribuie la eficiența și durabilitatea acestui dispozitiv.
Subtipul de canal îmbogățit și tipul de tranzistor N-MOSFET x2 îl fac potrivit pentru o gamă largă de aplicații, de la electronice de consum până la echipamente industriale. Cu Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar de la DIODES INCORPORATED, veți obține performanțe de încredere și durabilitate pe termen lung pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
ZXMD63N03XTA |
Producător |
DIODES INCORPORATED |
Subtip ambalaj |
bandă
rolă |
Putere disipată |
1,25W |
Montare |
SMD |
Carcasă |
MSOP8 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
1,9A |
Tensiune drenă-sursă |
30V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
0,2Ω |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Tip tranzistor |
N-MOSFET x2 |
Fisiere asociate
Descarcari