Tranzistor N/P-MOSFET 100V 0,9A 0,87W

Tranzistorul DIODES INCORPORATED N/P-MOSFET x2 unipolar 100/-100V 0,9/-0,7A 0,87W este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o soluție fiabilă și eficientă. Acest tranzistor este montat în format SMD și are o carcasă de tip SO8, având o putere disipată de 0,87W.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor sunt de tip MOSFET H-Bridge, cu o polarizare unipolară. Curentul de drenaj este între 0,9A și -0,7A, iar tensiunea de drenaj-sursă este cuprinsă între 100V și -100V. Tensiunea poartă-sursă este de ±20V, iar rezistența în timpul funcționării variază între 0,9Ω și 1,45Ω.

Acest tranzistor are un subtip de canal îmbogățit și este un tip N/P-MOSFET x2, oferind astfel o gamă largă de aplicații posibile. Cu DIODES INCORPORATED ca producător, puteți avea încredere în calitatea și fiabilitatea acestui tranzistor pentru proiectele dvs. electronice.