Categorii
N-MOSFET Tranzistor 100V 2,7A 31W SO8 x2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • N-MOSFET Tranzistor 100V 2,7A 31W SO8 x2 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

N-MOSFET Tranzistor 100V 2,7A 31W SO8 x2

FDS89161
Tranzistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 2,7A; 31W; SO8
10,72 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 100V 2,7A 31W SO8 de la ONSEMI este un dispozitiv electronic de mare performanță, ideal pentru aplicații de putere medie și mare. Acest tranzistor oferă o putere disipată de 31W și poate funcționa la o polarizare unipolară, ceea ce îl face potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o curent drenă de 2,7A și o tensiune drenă-sursă de 100V, acest tranzistor asigură o performanță fiabilă și eficientă. De asemenea, dispune de o rezistență în timpul funcționării de 176mΩ, ceea ce garantează o disipare redusă a căldurii și o funcționare stabilă.

Tranzistorul N-MOSFET x2 este disponibil în carcasă SO8 și poate fi montat cu ușurință utilizând tehnologia SMD. Cu un subtip canal îmbogățit și o încărcătură poartă de 4,1nC, acest tranzistor oferă performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

În concluzie, Tranzistorul N-MOSFET x2 unipolar 100V 2,7A 31W SO8 de la ONSEMI este alegerea perfectă pentru aplicațiile dumneavoastră de putere medie și mare, oferind o combinație excelentă între performanță, eficiență și fiabilitate.
Detalii ale produsului
2255 Produse

Fisa tehnica

Referință FDS89161
Producător ONSEMI
Subtip ambalaj bandă
rolă
Putere disipată 31W
Montare SMD
Carcasă SO8
Polarizare unipolar
Curent drenă 2,7A
Tensiune drenă-sursă 100V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării 176mΩ
Subtip canal îmbogăţit
Încărcătură poartă 4,1nC
Tip tranzistor N-MOSFET x2
Tehnologie PowerTrench®
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
11 produse asociate: