Descriere
Tranzistorul IGBT 1,2kV 25A 313W TO247-3 mono-tranzistor, SKW25N120 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, ideal pentru aplicații electronice exigente. Acest tranzistor dispune de o putere disipată de 313W și o carcasă TO247-3, asigurând o disipare eficientă a căldurii. Caracteristicile elementelor semiconductoare includ un diod anti-paralel integrat, oferind protecție suplimentară împotriva supratensiunilor.
Cu o structură semiconductorului de tip mono-tranzistor, acest dispozitiv oferă un curent de colector de 25A și un curent de colector pulsat de 84A, asigurând performanțe excelente în aplicații de putere. Tensiunea poartă - emitor este de ±20V, iar tensiunea colector-emițător este de 1,2kV, asigurând o funcționare stabilă și sigură în diverse condiții de utilizare.
Acest tranzistor IGBT este potrivit pentru montare THT și vine într-un subtip de ambalaj tub, ușor de integrat în diverse circuite electronice. Cu un timp de activare de 85ns și un timp de dezactivare de 760ns, acest tranzistor oferă performanțe rapide și precise, fiind o alegere excelentă pentru aplicații de control de putere. Alegeți tranzistorul IGBT SKW25N120 pentru fiabilitate și performanțe superioare în proiectele dvs. electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
SKW25N120 |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
313W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO247-3 |
Caracteristici elemente semiconductoare |
integrated anti-parallel diode |
Structura semiconductorului |
mono-tranzistor |
Curent de colector pulsat |
84A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
25A |
Timp activare |
85ns |
Tensiune colector-emiţător |
1,2kV
1.2kV |
Tip tranzistor |
IGBT |
Timp dezactivare |
760ns |
Fisiere asociate
Descarcari