Tranzistorul IGBT ONSEMI de 650V 60A 300W TO3PN este un produs de înaltă calitate, perfect pentru aplicațiile dumneavoastră electronice. Acest tranzistor vine de la producătorul de încredere ONSEMI și are un subtip de ambalaj tub, potrivit pentru montarea THT. Cu o carcasă TO3PN robustă, acest tranzistor poate disipa o putere de până la 300W, asigurând o performanță excelentă.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ un diod integrat anti-paralel, care optimizează funcționarea dispozitivului. Cu un curent de colector pulsat de 180A și o tensiune port-emitor de ±20V, acest tranzistor poate gestiona sarcini de până la 60A și o tensiune colector-emitor de 650V. De asemenea, încărcătura portului este de 284nC, ceea ce asigură o funcționare eficientă în diverse aplicații.
Tranzistorul IGBT ONSEMI este un produs fiabil și performant, potrivit pentru utilizare în diferite aplicații electronice. Cu o calitate superioară și caracteristici remarcabile, acest tranzistor este alegerea ideală pentru proiectele dumneavoastră.