Categorii
  • Nou
Tranzistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
  • Tranzistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
  • Tranzistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max

Tranzistor IGBT MICROCHIP 900V 50A 543W T-Max

APT40GP90B2DQ2G
Tranzistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
201,03 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

60.38 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT MICROCHIP 900V 50A 543W T-Max, produs de MICROCHIP TECHNOLOGY, oferă performanțe avansate datorită tehnologiei POWER MOS 7® și PT. Cu o tensiune colector-emitor de 900V și un curent de colector nominal de 50A, acest dispozitiv suportă un curent pulsat de până la 160A, garantând robustețe în aplicații exigente. Puterea disipată maximă de 543W asigură o gestionare eficientă a căldurii, optimizată prin montarea THT și carcasă T-Max. Tranzistorul dispune de o diodă anti-paralel integrată, îmbunătățind stabilitatea circuitului. Timpul de activare rapid de 37ns și timpul de dezactivare de 0,22µs permit operarea la frecvențe ridicate, iar încărcătura poartă de 145nC și tensiunea poartă-emitor de ±30V asigură un control precis și fiabil. Subtipul de ambalaj în tub facilitează manipularea și integrarea în diverse sisteme electronice. Acest IGBT reprezintă o soluție performantă și durabilă, ideală pentru aplicații ce necesită eficiență și fiabilitate ridicată.
Detalii ale produsului
29 Produse

Fisa tehnica

Referință APT40GP90B2DQ2G
Producător MICROCHIP TECHNOLOGY
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 543W
Montare THT
Carcasă T-Max
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 160A
Tensiunea poartă - emitor ±30V
Curent de colector 50A
Timp activare 37ns
Tensiune colector-emiţător 900V
Încărcătură poartă 145nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 0,22µs
Tehnologie POWER MOS 7®
PT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.