Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT GenX3™ 1,2kV 82A 1,04kW PLUS264™, IXYB82N120C3H1 este un component electronic de ultimă generație, proiectat pentru performanțe superioare în aplicații de putere. Producătorul acestui tranzistor este IXYS, montarea se face prin tehnica THT, iar carcasa este PLUS264™, disponibilă într-un tub pentru protecție optimă. Tehnologia XPT™ utilizată în acest tranzistor asigură o funcționare eficientă și fiabilă.
Cu o putere disipată de 1.04kW, acest tranzistor poate gestiona un curent de colector de până la 82A și un curent de colector pulsat de 320A. Tensiunea poartă - emitor este de ±20V, iar tensiunea colector-emițător este de 1.2kV, oferind protecție împotriva supratensiunilor.
Timpul de activare rapid de 119ns și timpul de dezactivare de 295ns fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații care necesită comutare rapidă și eficientă. Încărcătura poartă de 215nC asigură o funcționare stabilă și precisă în diverse condiții de operare.
Tranzistorul IGBT GenX3™ 1,2kV 82A 1,04kW PLUS264™, IXYB82N120C3H1 de la IXYS reprezintă soluția perfectă pentru aplicații de putere care necesită performanțe de înaltă calitate și fiabilitate.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IXYB82N120C3H1 |
Producător |
IXYS |
Subtip ambalaj |
tub |
Putere disipată |
1,04kW
1.04kW |
Montare |
THT |
Carcasă |
PLUS264™ |
Curent de colector pulsat |
320A |
Tensiunea poartă - emitor |
±20V |
Curent de colector |
82A |
Timp activare |
119ns |
Tensiune colector-emiţător |
1,2kV
1.2kV |
Încărcătură poartă |
215nC |
Tip tranzistor |
IGBT |
Timp dezactivare |
295ns |
Tehnologie |
GenX3™
Planar
XPT™ |
Fisiere asociate
Descarcari