Categorii
IGBT BiMOSFET 1.7kV 75A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET 1.7kV 75A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET 1.7kV 75A TO264 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT BiMOSFET 1.7kV 75A TO264

IXBK75N170
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; TO264
411,65 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

113.15 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 75A 1,04kW TO264 este un produs de înaltă calitate, fabricat de către IXYS. Acest tranzistor este disponibil într-un subtip de ambalaj tub și poate fi montat folosind tehnologia THT. Carcasa TO264 asigură o disipare eficientă a puterii de 1,04kW.

Cu caracteristici de elemente semiconductoare de înaltă tensiune, acest tranzistor oferă un curent de colector pulsat de 580A și o tensiune port-emitor de ±20V. Cu un curent de colector nominal de 75A, timpul de activare rapid de 277ns și tensiunea colector-emițător de 1,7kV, acest tranzistor este ideal pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și performanță.

Cu o încărcătură de poartă de 0,35µC, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ asigură un timp de dezactivare de 840ns, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații sensibile la timp. Tehnologia avansată BiMOSFET™ îmbină avantajele IGBT-urilor și MOSFET-urilor, oferind o performanță excelentă și fiabilitate pe termen lung.
Detalii ale produsului
21 Produse

Fisa tehnica

Referință IXBK75N170
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,04kW
Montare THT
Carcasă TO264
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 580A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 75A
Timp activare 277ns
Tensiune colector-emiţător 1,7kV
Încărcătură poartă 0,35µC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 840ns
Tehnologie BiMOSFET™
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
5 produse asociate: