Categorii
IGBT SiC SBD 650V 50A Tranzistor TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT SiC SBD 650V 50A Tranzistor TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT SiC SBD 650V 50A Tranzistor TO247-4 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT SiC SBD 650V 50A Tranzistor TO247-4

BGH50N65ZF1
Tranzistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 50A; 357W; TO247-4
82,59 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul BASiC SEMICONDUCTOR IGBT SiC SBD 650V 50A 357W TO247-4 este un dispozitiv de semiconductoare de înaltă performanță, ideal pentru aplicații care necesită o putere mare și o disipare eficientă a căldurii. Acest tranzistor este echipat cu un diod anti-paralel integrat, ceea ce îl face extrem de versatil și potrivit pentru o varietate de aplicații.

Cu o putere disipată de 357W, acest tranzistor poate gestiona cerințele de putere ridicate fără probleme. Caracteristicile elementelor semiconductoare, precum tensiunea de colector de 650V și curentul de colector de 50A, îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o funcționare fiabilă și eficientă.

Tehnologiile avansate utilizate în acest tranzistor, precum Trench și Field Stop, asigură performanțe superioare și o durată lungă de viață. Cu un timp de activare de 54ns și un timp de dezactivare de 476ns, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă.

Indiferent de aplicația dvs., tranzistorul BASiC SEMICONDUCTOR IGBT SiC SBD 650V 50A 357W TO247-4 este alegerea perfectă pentru performanțe excelente și fiabilitate pe termen lung. Alegeți calitatea și performanța oferite de acest tranzistor de încredere.
Detalii ale produsului
26 Produse

Fisa tehnica

Referință BGH50N65ZF1
Producător BASiC SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 357W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 200A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 50A
Timp activare 54ns
Tensiune colector-emiţător 650V
Încărcătură poartă 308nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 476ns
Tehnologie Field Stop
SiC SBD
Trench
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: