Categorii
Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 34A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 34A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 34A 150W | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor IGBT BiMOSFET 3kV 34A 150W

IXBF20N300
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 34A; 150W; ISOPLUS i4-pac™ x024c
458,63 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

124.92 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXBF20N300 este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este montat în tehnologia BiMOSFET™ și este încapsulat în carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024c, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru aplicațiile dumneavoastră.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o putere disipată de 150W, un curent de colector de 34A și o tensiune de colector de 3kV. Cu un curent de colector pulsant de 130A și o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.

Timpul de activare scurt de 64ns și timpul de dezactivare de 0.3µs asigură o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Cu o încărcătură de poartă de 105nC, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ este ideal pentru aplicații de control de putere și comutare în medii industriale și comerciale.

În concluzie, tranzistorul IXBF20N300 oferă o combinație ideală între performanță, fiabilitate și eficiență, fiind soluția perfectă pentru cerințele dumneavoastră de control de putere.
Detalii ale produsului
3 Produse

Fisa tehnica

Referință IXBF20N300
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 150W
Montare THT
Carcasă ISOPLUS i4-pac™ x024c
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 130A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 34A
Timp activare 64ns
Tensiune colector-emiţător 3kV
Încărcătură poartă 105nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 0,3µs
0.3µs
Tehnologie BiMOSFET™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: