Tranzistorul IXBF20N300 este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță, fabricat de către producătorul de renume IXYS. Acest tranzistor este montat în tehnologia BiMOSFET™ și este încapsulat în carcasa ISOPLUS i4-pac™ x024c, oferind o soluție fiabilă și eficientă pentru aplicațiile dumneavoastră.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ o putere disipată de 150W, un curent de colector de 34A și o tensiune de colector de 3kV. Cu un curent de colector pulsant de 130A și o tensiune poartă-emițător de ±20V, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și eficientă.
Timpul de activare scurt de 64ns și timpul de dezactivare de 0.3µs asigură o performanță excelentă în aplicațiile cu cerințe stricte de timp. Cu o încărcătură de poartă de 105nC, acest tranzistor IGBT BiMOSFET™ este ideal pentru aplicații de control de putere și comutare în medii industriale și comerciale.
În concluzie, tranzistorul IXBF20N300 oferă o combinație ideală între performanță, fiabilitate și eficiență, fiind soluția perfectă pentru cerințele dumneavoastră de control de putere.
Detalii ale produsului
3 Produse
Fisa tehnica
Referință
IXBF20N300
Producător
IXYS
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
150W
Montare
THT
Carcasă
ISOPLUS i4-pac™ x024c
Caracteristici elemente semiconductoare
de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat
130A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
34A
Timp activare
64ns
Tensiune colector-emiţător
3kV
Încărcătură poartă
105nC
Tip tranzistor
IGBT
Timp dezactivare
0,3µs
0.3µs
Tehnologie
BiMOSFET™
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.