Categorii
Tranzistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Edecupl: 1,24mJ
  • Tranzistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Edecupl: 1,24mJ

Tranzistor IGBT 1,2kV 40A 250W TO247 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR

AOK40B120H1
Tranzistor: IGBT; 1,2kV; 40A; 250W; TO247; Edecupl: 1,24mJ
40,34 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistor IGBT 1,2kV 40A 250W TO247 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR reprezintă soluția ideală pentru aplicații de putere înaltă, oferind performanțe excepționale în domeniul electronicelor de putere. Proiectat de ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, acest tranzistor IGBT se remarcă printr-o tensiune colector-emițător de 1,2kV și un curent de colector de 40A, având capacitatea de a gestiona un curent pulsat de până la 120A.

Cu o putere disipată de 250W, acest dispozitiv asigură eficiență maximă în operațiuni critice, în timp ce timpul de activare de 133ns și timpul de dezactivare de 375ns îl fac potrivit pentru aplicații de comutare rapidă. Tensiunea de saturatie colector-emitor de 1,8V contribuie la reducerea pierderilor de putere, iar energia de cuplare și de decuplare de 2,45mJ și respectiv 1,24mJ asigură o funcționare fiabilă.

Carcasa TO247 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în diverse configurații de circuite. În plus, capacitatea de a suporta o tensiune poartă-emitor de ±30V și o încărcătură poartă de 128nC îl fac extrem de versatil, fiind ideal pentru aplicații în domenii precum conversia de energie, controlul motoarelor sau sursele de alimentare. Alegeți Tranzistorul IGBT 1,2kV 40A 250W TO247 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR pentru a beneficia de tehnologie avansată și performanțe de vârf în proiectele dumneavoastră electronice.
Detalii ale produsului
16 Produse

Fisa tehnica

Referință AOK40B120H1
Producător ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 250W
Montare THT
Carcasă TO247
Curent de colector pulsat 120A
Tensiunea poartă - emitor ±30V
Curent de colector 40A
Timp activare 133ns
Tensiune colector-emiţător 1,2kV
Încărcătură poartă 128nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 375ns
Energia de cuplare 2,45mJ
Energia de decuplare 1,24mJ
Tensiunea de saturaţie colector-emitor 1,8V
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: