Categorii
IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS Tranzistor | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS Tranzistor

DG120X07T2
Tranzistor: IGBT; 650V; 120A; 893W; TO247PLUS
103,26 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

35.89 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS, DG120X07T2, fabricat de STARPOWER SEMICONDUCTOR, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Montat în tehnologia THT și încapsulat în carcasa TO247PLUS, acest tranzistor vine într-un tub pentru o manipulare ușoară.

Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ un diodă anti-paralel integrată, care asigură o funcționare stabilă și eficientă. Cu o putere disipată de 893W și un curent de colector pulsat de 360A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință.

Tensiunea poartă - emitor de ±20V și curentul de colector de 120A fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de control de putere. Timpul de activare de 282ns și timpul de dezactivare de 334ns asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului.

Cu o tensiune colector-emițător de 650V și o încărcătură de poartă de 0.86µC, acest tranzistor IGBT este potrivit pentru aplicații de înaltă tensiune și curent. Fiabilitatea și performanța excelentă fac din acest tranzistor o alegere de top pentru proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
36 Produse

Fisa tehnica

Referință DG120X07T2
Producător STARPOWER SEMICONDUCTOR
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 893W
Montare THT
Carcasă TO247PLUS
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 360A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 120A
Timp activare 282ns
Tensiune colector-emiţător 650V
Încărcătură poartă 0,86µC
0.86µC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 334ns
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: