Tranzistorul IGBT 650V 120A 893W TO247PLUS, DG120X07T2, fabricat de STARPOWER SEMICONDUCTOR, este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Montat în tehnologia THT și încapsulat în carcasa TO247PLUS, acest tranzistor vine într-un tub pentru o manipulare ușoară.
Caracteristicile elementelor semiconductoare ale acestui tranzistor includ un diodă anti-paralel integrată, care asigură o funcționare stabilă și eficientă. Cu o putere disipată de 893W și un curent de colector pulsat de 360A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de putere mari cu ușurință.
Tensiunea poartă - emitor de ±20V și curentul de colector de 120A fac din acest tranzistor o alegere excelentă pentru aplicații de control de putere. Timpul de activare de 282ns și timpul de dezactivare de 334ns asigură o comutare rapidă și precisă a dispozitivului.
Cu o tensiune colector-emițător de 650V și o încărcătură de poartă de 0.86µC, acest tranzistor IGBT este potrivit pentru aplicații de înaltă tensiune și curent. Fiabilitatea și performanța excelentă fac din acest tranzistor o alegere de top pentru proiectele tale electronice.