Tranzistorul IGBT 650V 60A 375W TO247-3 de la STMicroelectronics este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații industriale și comerciale. Acest tranzistor este caracterizat de o putere disipată de 375W și un curent de colector de 60A, ceea ce îl face potrivit pentru sarcini de putere medie și mari. Carcasa TO247-3 oferă o montare prin găuri tehnologie (THT), ceea ce facilitează instalarea și schimbarea ulterioară a dispozitivului.
Cu o tensiune colector-emițător de 650V și o tensiune port-emitor de ±20V, tranzistorul IGBT 650V 60A 375W TO247-3 asigură o performanță fiabilă și eficientă energetic. Elementele semiconductoare integrate, precum dioda antiparalelă, îmbunătățesc funcționarea tranzistorului și protejează alte componente ale circuitului. De asemenea, încărcătura de poartă de 306nC optimizează comutarea și controlul dispozitivului.
Acest tranzistor IGBT este potrivit pentru aplicații cu cerințe ridicate de putere și eficiență, cum ar fi invertorii de sudură, sursele de alimentare și acționările motorului. Fiabilitatea și performanța sa excelentă îl fac o alegere ideală pentru proiectele electronice complexe și exigente.
Detalii ale produsului
191 Produse
Fisa tehnica
Referință
STGW60H65DFB
Producător
STMicroelectronics
Subtip ambalaj
tub
Putere disipată
375W
Montare
THT
Carcasă
TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare
integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat
240A
Tensiunea poartă - emitor
±20V
Curent de colector
60A
Tensiune colector-emiţător
650V
Încărcătură poartă
306nC
Tip tranzistor
IGBT
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
Aprecierea ta pentru recenzie nu a putut fi trimisa
Reclama un comentariu
Sigur doresti sa raportezi acest comentariu?
Raport trimis
Comentariul tau a fost inregistrat si va fi examinat de un moderator.
Reclamatia tau nu a putut fi trimisa
Scrie-ti recenzia
Recenzia a fost trimisa
Comentariul dumeavoastra a fost inregistrat si va fi vizibil de indata ce va fi aprobat de un moderator.