Categorii
IGBT Field Stop Tranzistor 600V 64A 366W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Field Stop Tranzistor 600V 64A 366W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT Field Stop Tranzistor 600V 64A 366W TO247-3 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT Field Stop Tranzistor 600V 64A 366W TO247-3

APT50GN60BDQ3G
Tranzistor: IGBT; Field Stop; 600V; 64A; 366W; TO247-3
114,66 lei
Ultimele produse

Credit module tbi bank 3.4.2

38.75 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IGBT Field Stop 600V 64A 366W TO247-3, APT50GN60BDQ3G de la MICROCHIP (MICROSEMI) este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cele mai exigente cerințe din domeniul electronicelor. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia sa de ultimă generație Field Stop, care asigură performanțe superioare și fiabilitate pe termen lung.

Cu o putere disipată de 366W, acest tranzistor este capabil să gestioneze sarcini de lucru intense fără a-și compromite funcționalitatea. Curenții de colector pulsat de până la 150A și tensiunea port-emitor de ±30V îl fac potrivit pentru aplicații care necesită o putere mare și o stabilitate crescută.

Carcasa TO247-3 și montarea THT facilitează integrarea acestui tranzistor în diverse tipuri de dispozitive electronice. În plus, tranzistorul este echipat cu o diodă anti-paralelă integrată, care îmbunătățește eficiența circuitului și protejează dispozitivul împotriva supratensiunilor.

Cu un timp de activare de 45ns și un timp de dezactivare de 0.4µs, acest tranzistor oferă o comutare rapidă și precisă, esențială în aplicațiile cu cerințe ridicate de performanță. Încărcătura de poartă de 325nC și tensiunea colector-emițător de 600V completează lista de caracteristici impresionante ale acestui tranzistor IGBT de la MICROCHIP (MICROSEMI).
Detalii ale produsului
1 Obiect

Fisa tehnica

Referință APT50GN60BDQ3G
Producător MICROCHIP (MICROSEMI)
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 366W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare integrated anti-parallel diode
Curent de colector pulsat 150A
Tensiunea poartă - emitor ±30V
Curent de colector 64A
Timp activare 45ns
Tensiune colector-emiţător 600V
Încărcătură poartă 325nC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 0,4µs
0.4µs
Tehnologie Field Stop
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: