Categorii
  • Stoc epuizat
IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 75A 1.04kW | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 75A 1.04kW | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 75A 1.04kW | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

IGBT BiMOSFET Tranzistor 1.7kV 75A 1.04kW

IXBX75N170
Tranzistor: IGBT; BiMOSFET™; 1,7kV; 75A; 1,04kW; PLUS247™
558,51 lei
Stoc epuizat

Credit module tbi bank 3.4.2

149.94 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul IXYS IGBT BiMOSFET™ 1,7kV 75A 1,04kW PLUS247™ este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, fabricat de IXYS. Acest tranzistor este ambalat într-un tub și se montează pe plăci cu montare prin găuri tehnologice (THT). Carcasa tranzistorului este PLUS247™, oferind o putere disipată de 1,04kW.

Acest tranzistor IGBT are caracteristici remarcabile, precum un curent de colector de 75A și o tensiune colector-emițător de 1,7kV. Tensiunea poartă - emițător este de ±20V, iar timpul de activare este de doar 277ns. Timpul de dezactivare este de 840ns, iar încărcătura poartă este de 0,35µC.

Tehnologia FRED și BiMOSFET™ adăugată în acest tranzistor asigură o performanță superioară și o funcționare eficientă. Cu un curent de colector pulsant de 580A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o fiabilitate ridicată.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință IXBX75N170
Producător IXYS
Subtip ambalaj tub
Putere disipată 1,04kW
Montare THT
Carcasă PLUS247™
Caracteristici elemente semiconductoare de tensiune înaltă
Curent de colector pulsat 580A
Tensiunea poartă - emitor ±20V
Curent de colector 75A
Timp activare 277ns
Tensiune colector-emiţător 1,7kV
Încărcătură poartă 0,35µC
Tip tranzistor IGBT
Timp dezactivare 840ns
Tehnologie BiMOSFET™
FRED
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: