Descriere
Tranzistorul P-MOSFET unipolar -55V -74A 200W TO262 de la INFINEON TECHNOLOGIES este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru performanțe excelente în aplicațiile electronice. Acest tranzistor este montat prin tehnologia THT și are o carcasă TO262, asigurând o instalare ușoară și o durabilitate sporită.
Cu o putere disipată de 200W, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a energiei. Polarizarea unipolară, curentul drenă de -74A și tensiunea drenă-sursă de -55V îl fac ideal pentru aplicații de putere medie și mare.
Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 20mΩ, acest tranzistor oferă o eficiență excelentă și o disipare redusă a căldurii. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 0,12µC asigură performanțe optime în aplicațiile cu cerințe ridicate.
Acest tranzistor P-MOSFET este dotat cu o tehnologie HEXFET® de ultimă generație, care asigură o funcționare fiabilă și durabilă. Cu tensiunea poartă-sursă de ±20V, acest tranzistor oferă o flexibilitate sporită în proiectele electronice.
În concluzie, Tranzistorul P-MOSFET unipolar -55V -74A 200W TO262 de la INFINEON TECHNOLOGIES este alegerea ideală pentru cei care caută performanțe superioare și fiabilitate în aplicațiile lor electronice.
Detalii ale produsului
Fisa tehnica
Referință |
IRF4905LPBF |
Producător |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Putere disipată |
200W |
Montare |
THT |
Carcasă |
TO262 |
Polarizare |
unipolar |
Curent drenă |
-74A |
Tensiune drenă-sursă |
-55V |
Tensiune poartă-sursă |
±20V |
Rezistenţă în timpul funcţionării |
20mΩ |
Subtip canal |
îmbogăţit |
Încărcătură poartă |
0,12µC |
Tip tranzistor |
P-MOSFET |
Tehnologie |
HEXFET® |
Fisiere asociate
Descarcari