Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A

UJ3C065080T3S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 23A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 23A, UJ3C065080T3S este un produs de înaltă calitate, cu caracteristici remarcabile. Acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată SiC și este montat în carcasă TO220-3. Cu o putere disipată de 190W, acesta poate suporta un curent de drenă în impuls de până la 65A. Polarizarea unipolară îl face potrivit pentru o varietate de aplicații. Cu un curent de drenă de 23A și o tensiune drenă-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe excelente. Rezistența sa în timpul funcționării este de doar 80mΩ, iar încărcătura poartă este de 51nC. Acest tranzistor N-JFET/N-MOSFET în cascadă este soluția ideală pentru aplicațiile dumneavoastră de electronică.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință UJ3C065080T3S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 190W
Montare THT
Carcasă TO220-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 65A
Polarizare unipolar
Curent drenă 23A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 80mΩ
Încărcătură poartă 51nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: