Categorii
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A

UF3C065040K3S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 40A
266,39 lei
In Stoc

Credit module tbi bank 3.4.2

76.76 lei x 4 luni

 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 40A, UF3C065040K3S este un dispozitiv de ultimă generație, care oferă performanțe de vârf în domeniul electronicelor. Acest tranzistor se remarcă prin tehnologia avansată SiC, care îi conferă o rezistență și o durabilitate deosebite. Carcasa TO247-3 permite o montare simplă și sigură, fiind potrivit pentru o gamă variată de aplicații.

Cu o putere disipată de 326W și un curent de drenă în impuls de 125A, acest tranzistor poate gestiona sarcini de mare intensitate fără probleme. Polarizarea unipolară asigură o funcționare stabilă și eficientă, în timp ce tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±25V permit o gamă largă de utilizări.

Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 42mΩ, acest tranzistor minimizează pierderile de putere și maximizează eficiența sistemului. Încărcătura poartă de 51nC și caracteristicile elementelor semiconductoare ESD protejate fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la electrostatică.

Tipul tranzistorului, N-JFET/N-MOSFET, și subtipul în cascadă îl fac potrivit pentru o varietate de proiecte electronice complexe. Cu o gamă largă de caracteristici de performanță și fiabilitate, tranzistorul UnitedSiC N-JFET/N-MOSFET SiC unipolar în cascadă 650V 40A, UF3C065040K3S este alegerea perfectă pentru cei care caută calitate și eficiență în electronică.
Detalii ale produsului
4 Produse

Fisa tehnica

Referință UF3C065040K3S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 326W
Montare THT
Carcasă TO247-3
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
Curent de drenă în impuls 125A
Polarizare unipolar
Curent drenă 40A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 42mΩ
Încărcătură poartă 51nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
77 produse asociate: