Categorii
Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92 | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-MOSFET 60V 350mA 1W TO92

VN0106N3-G
Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92
7,57 lei
In Stoc
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 350mA Idm: 2A 1W TO92 de la MICROCHIP TECHNOLOGY este un dispozitiv electronic de înaltă performanță, perfect pentru aplicațiile tale de electronică. Acest tranzistor impresionează cu caracteristicile sale de top, fiind un produs de încredere și durabil.

Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY
Subtip ambalaj: în vrac
Montare: THT
Carcasă: TO92
Putere disipată: 1W
Curent de drenă în impuls: 2A
Polarizare: unipolar
Curent drenă: 0,35A
Tensiune drenă-sursă: 60V
Tensiune poartă-sursă: ±20V
Rezistență în timpul funcționării: 3Ω
Subtip canal: îmbogățit
Tip tranzistor: N-MOSFET

Cu o rezistență în timpul funcționării de 3Ω și un curent de drenă de 0,35A, acest tranzistor este ideal pentru o varietate de aplicații. Carcasa TO92 îl face ușor de montat și integrat în proiectele tale. Cu o putere disipată de 1W, acest tranzistor se remarcă prin eficiența sa în transformarea energiei. Optează pentru Tranzistorul N-MOSFET unipolar 60V 350mA Idm: 2A 1W TO92 de la MICROCHIP TECHNOLOGY pentru performanțe superioare în proiectele tale electronice.
Detalii ale produsului
380 Produse

Fisa tehnica

Referință VN0106N3-G
Producător MICROCHIP TECHNOLOGY
Subtip ambalaj în vrac
Putere disipată 1W
Montare THT
Carcasă TO92
Curent de drenă în impuls 2A
Polarizare unipolar
Curent drenă 0,35A
Tensiune drenă-sursă 60V
Tensiune poartă-sursă ±20V
Rezistenţă în timpul funcţionării
Subtip canal îmbogăţit
Tip tranzistor N-MOSFET
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
3 produse asociate: