Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A

UF3C065080K4S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 23A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UF3C065080K4S de la UnitedSiC este un dispozitiv semiconductoare de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații care necesită o comutare rapidă și o putere disipată eficientă. Acest tranzistor unipolar în cascadă are o tensiune drenă-sursă de 650V și poate suporta un curent de drenă de până la 23A. Tehnologia avansată SiC și carcasa TO247-4 asigură o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 80mΩ, ceea ce îl face ideal pentru aplicații de putere de înaltă frecvență. Cu o putere disipată de 190W și o polarizare unipolară, acest tranzistor N-JFET/N-MOSFET poate gestiona sarcini de comutare cu eficiență ridicată. De asemenea, caracteristicile sale includ un curent de drenă în impuls de 65A, o tensiune poartă-sursă de ±25V și o încărcătură poartă de 43nC. Cu montare THT și terminal Kelvin, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații industriale și comerciale.
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință UF3C065080K4S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 190W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 65A
Polarizare unipolar
Curent drenă 23A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 80mΩ
Încărcătură poartă 43nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: