Categorii
  • Stoc epuizat
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A UF3C065030K4S | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A UF3C065030K4S | Electronic-mag.ro | Componente Electronice
  • Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A UF3C065030K4S | Electronic-mag.ro | Componente Electronice

Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A UF3C065030K4S

UF3C065030K4S
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET; SiC; unipolar; în cascadă; 650V; 62A
0,00 lei

()

Stoc epuizat
 

Politica de securitate

 

Politica de livrare

 

Politica de returnare

Descriere
Tranzistorul UF3C065030K4S este un produs de înaltă calitate fabricat de UnitedSiC, proiectat pentru a oferi performanțe superioare în aplicațiile tale electronice. Montarea sa prin găuri prin panou (THT) îl face ușor de integrat în proiectele tale. Carcasa TO247-4 oferă o protecție solidă și o disipare eficientă a căldurii. Tehnologia avansată SiC asigură o funcționare fiabilă și durabilă.

Tranzistorul UF3C065030K4S este un tranzistor unipolar în cascadă, cu caracteristici de elemente semiconductoare de tip terminal Kelvin. Cu o putere disipată de 441W și un curent de drenă în impuls de 230A, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații care necesită o gestionare eficientă a puterii și a curentului.

Cu o polarizare unipolară, curentul de drenă de 62A și tensiunea drenă-sursă de 650V, acest tranzistor oferă performanțe remarcabile în condiții de funcționare variate. Tensiunea poartă-sursă de ±25V și rezistența în timpul funcționării de 27mΩ îl fac ideal pentru aplicații sensibile la tensiune și rezistență.

Cu o încărcătură de poartă de 43nC, acest tranzistor oferă o controlabilitate excelentă în aplicațiile tale. Tipul tranzistorului UF3C065030K4S este N-JFET/N-MOSFET, iar subtipul său este în cascadă, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații complexe și exigente. Alege tranzistorul UF3C065030K4S pentru performanță și fiabilitate în proiectele tale electronice!
Detalii ale produsului

Fisa tehnica

Referință UF3C065030K4S
Producător Qorvo (UnitedSiC)
UnitedSiC
Putere disipată 441W
Montare THT
Carcasă TO247-4
Caracteristici elemente semiconductoare ESD protected gate
terminal Kelvin
Curent de drenă în impuls 230A
Polarizare unipolar
Curent drenă 62A
Tensiune drenă-sursă 650V
Tensiune poartă-sursă ±25V
Rezistenţă în timpul funcţionării 27mΩ
Încărcătură poartă 43nC
Tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET
Subtip tranzistor în cascadă
Tehnologie SiC
Fisiere asociate
Descarcari
Comentarii (0)
Nota
Nu sunt opinii ale clientilor in acest moment.
16 alte produse din aceeași categorie: